Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре
При конструировании, ремонте и применении радиотехники необходимо знать ее основные параметры. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких важных факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная стабильность и зависимость свойств от вида работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.Биполярные транзисторы сохраняют свои параметры в установленных рамках в условиях эксплуатации и хранения, характерных для разных видов и классов электроники. Условия работы техники могут меняться в больших пределах. Данные условия можно охарактеризовать внешними вибрационными силами и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).
Общие требования, справедливые для всех полевых транзисторов, предназначенных для работы в оборудовании связи определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения предельных параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному классу транзистора, есть в частных технических требованиях.
Для удобства конструирования и ремонта средств связи, важные характеристики транзисторов и их даташиты собраны в справочнике. К преимуществам электронного справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск искомого полевого транзистора по маркировке или мгновенный поиск аналогов.
Под воздействием разных факторов климата многие параметры транзисторов и свойства будут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от климатических воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их надежную работу в составе средств спутниковой связи при заданных допустимых условиях использования. Надо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании биполярных транзисторов в электротехнике, предназначенной для работы в условиях экстремальной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами следует покрывать защитным составом не менее чем в три слоя.
Все большую популярность находят так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для работы в микросхемах и микросборках. Рабочие поверхности данных транзисторов защищены специальным слоем, но он не дает отличной защиты от воздействия агрессивной среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.
Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоаппаратуры, разработчик должен не только учесть характерные особенности полевых транзисторов на этапе конструирования аппаратуры, но и объявить должные условия ее применения и хранения.
Биполярные транзисторы - приборы универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в виде устройств, для которых они разработаны, но и в любых других приборах. Но набор параметров и характеристик, приводимых в электронном справочнике, приближен к первоочередному использованию транзистора. В справочнике даны значения характеристик полевых транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в разрабатываемом аппарате нередко отличается от того режима, для которого приведены характеристики в технических условиях.
Значения многих характеристик транзисторов зависят от рабочего режима и температуры и с увеличением температуры значение параметров от режима видно более сильно. В хорошем справочнике рассматриваются типовые (усредненные) зависимости параметров полупроводниковых приборов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти взаимные влияния обязаны использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения характеристик транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, написанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.
При настройке бытовой электроники необходимо стремиться обеспечить их эффективность в возможно более больших интервалах колебаний важных свойств транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при разработке могут быть учтены вычислительными способами или эмпирически — методом граничных испытаний.
Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом эксплуатируются в режиме обеднения p-канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор - исток от нулевого значения до потенциала отсечки тока стока.
В отличие от трехполюсников с управляющим n-p переходом, у которых рабочая область расположена от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы имеют большое входное сопротивление при различных значениях потенциала на затворе, которое ограничено потенциалом пробоя изолятора затвора.
При нужде применения транзисторов для выполнения задач, отличающихся от основного предназначения, решение о возможности их применения в желаемых режимах может быть сделан после измерения параметров трехполюсников в этих режимах, проведения необходимых испытаний и согласования их параметров в соответствии со стандартами.
Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при применяемых токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур.
Из справочника можно узнать основные характеристики транзистора 2N1051.
