Особенности использования транзисторов в радиоэлектронной аппаратуре

При конструировании, ремонте и применении радиотехники необходимо знать ее основные параметры. Высокая надежность радиоэлектронной аппаратуры может быть обеспечена только при учете таких важных факторов, как разброс параметров транзисторов, их температурная стабильность и зависимость свойств от вида работы, а также изменение параметров транзисторов в процессе эксплуатации.

Биполярные транзисторы сохраняют свои параметры в установленных рамках в условиях эксплуатации и хранения, характерных для разных видов и классов электроники. Условия работы техники могут меняться в больших пределах. Данные условия можно охарактеризовать внешними вибрационными силами и климатическими воздействиями (атмосферными и др.).

Общие требования, справедливые для всех полевых транзисторов, предназначенных для работы в оборудовании связи определенного класса, есть в общих технических условиях. Нормы на значения предельных параметров и специфические требования, относящиеся к конкретному классу транзистора, есть в частных технических требованиях.

Для удобства конструирования и ремонта средств связи, важные характеристики транзисторов и их даташиты собраны в справочнике. К преимуществам электронного справочника можно отнести его общедоступность, пополняемость, мгновенный поиск искомого полевого транзистора по маркировке или мгновенный поиск аналогов.

Под воздействием разных факторов климата многие параметры транзисторов и свойства будут меняться. Для герметичной защиты транзисторных структур от климатических воздействий служат корпуса приборов. Конструктивное оформление транзисторов рассчитано на их надежную работу в составе средств спутниковой связи при заданных допустимых условиях использования. Надо запомнить, что корпуса транзисторов, в конечном счете, имеют ограничение по герметичности. Поэтому при использовании биполярных транзисторов в электротехнике, предназначенной для работы в условиях экстремальной влажности, платы с расположенными на них электронными элементами следует покрывать защитным составом не менее чем в три слоя.

Все большую популярность находят так называемые бескорпусные транзисторы, изготовленные для работы в микросхемах и микросборках. Рабочие поверхности данных транзисторов защищены специальным слоем, но он не дает отличной защиты от воздействия агрессивной среды. Защита достигается общей герметизацией всей микросхемы.

Чтобы обеспечить долголетнюю и безотказную работу радиоаппаратуры, разработчик должен не только учесть характерные особенности полевых транзисторов на этапе конструирования аппаратуры, но и объявить должные условия ее применения и хранения.

Биполярные транзисторы - приборы универсального назначения. Они могут быть без нареканий использованы не только в виде устройств, для которых они разработаны, но и в любых других приборах. Но набор параметров и характеристик, приводимых в электронном справочнике, приближен к первоочередному использованию транзистора. В справочнике даны значения характеристик полевых транзисторов, гарантируемые ТУ для соответствующих оптимальных или предельных режимов эксплуатации. Рабочий режим транзистора в разрабатываемом аппарате нередко отличается от того режима, для которого приведены характеристики в технических условиях.

Значения многих характеристик транзисторов зависят от рабочего режима и температуры и с увеличением температуры значение параметров от режима видно более сильно. В хорошем справочнике рассматриваются типовые (усредненные) зависимости параметров полупроводниковых приборов от тока, напряжения, температуры, частоты и т. п. Эти взаимные влияния обязаны использоваться при установке типа транзистора и ориентировочных расчетах, так как значения характеристик транзисторов одного типа не одинаковы, а лежат в некотором диапазоне. Этот интервал ограничивается минимальным или максимальным значением, написанным в справочнике. Некоторые характеристики имеют двустороннее ограничение.

При настройке бытовой электроники необходимо стремиться обеспечить их эффективность в возможно более больших интервалах колебаний важных свойств транзисторов. Разброс характеристик транзисторов и их изменение во времени при разработке могут быть учтены вычислительными способами или эмпирически — методом граничных испытаний.

Полевые трехполюсники с управляющим р-n переходом эксплуатируются в режиме обеднения p-канала носителями заряда (независимо от типа его проводимости) при изменении напряжения затвор - исток от нулевого значения до потенциала отсечки тока стока.

В отличие от трехполюсников с управляющим n-p переходом, у которых рабочая область расположена от Uзи = 0 до потенциала запирания, МДП-транзисторы имеют большое входное сопротивление при различных значениях потенциала на затворе, которое ограничено потенциалом пробоя изолятора затвора.

При нужде применения транзисторов для выполнения задач, отличающихся от основного предназначения, решение о возможности их применения в желаемых режимах может быть сделан после измерения параметров трехполюсников в этих режимах, проведения необходимых испытаний и согласования их параметров в соответствии со стандартами.

Не рекомендуется эксплуатация транзисторов при применяемых токах, соизмеримых с неуправляемыми обратными токами во всем интервале температур.

Из справочника можно узнать основные характеристики транзистора 2N1051.

Мы ВКонтакте

 

Сайты

Создание сайтов.
Блог. Коран.


Статистика

Посетители
853
Материалы
2026
Количество просмотров материалов
4984059

Интернет Ресурсы